快科技10月25日消息，重大自主据华中科技大学官微消息，突破近日，芯片该校武汉光电国家研究中心团队，光刻攻克在国内率先攻克合成光刻胶所需的胶关键技原料和配方，助推我国芯片制造关键原材料突破瓶颈。术被设计

据介绍，原材其研发的料全T150A光刻胶系列产品，已通过半导体工艺量产验证，部国实现了原材料全部国产，产配配方全自主设计，重大自主有望开创国内半导体光刻制造新局面。突破

公开资料显示，芯片光刻胶是光刻攻克一种感光材料，用于芯片制造的胶关键技光刻环节，工作原理类似于照相机的胶卷曝光。芯片制造时，会在晶圆上涂上光刻胶，在掩膜版上绘制好电路图。

当光线透过掩膜版照射到光刻胶上会发生曝光，经过一系列处理后，晶圆上就会得到所需的电路图。

由于光刻胶是芯片制造的关键材料，国外企业对其原料和配方高度保密，目前我国所使用的光刻胶九成以上依赖进口。

武汉光电国家研究中心团队研发的这款半导体专用光刻胶对标国际头部企业主流KrF光刻胶系列。

相较于国外同系列某产品，T150A在光刻工艺中表现出的极限分辨率达到120nm，且工艺宽容度更大、稳定性更高、留膜率更优，其对刻蚀工艺表现更好，通过验证发现T150A中密集图形经过刻蚀，下层介质的侧壁垂直度表现优异。

团队负责人表示：“以光刻技术的分子基础研究和原材料的开发为起点，最终获得具有自主知识产权的配方技术，这只是个开始。我们团队还会发展一系列应用于不同场景下的KrF与ArF光刻胶，致力于突破国外卡脖子关键技术，为国内相关产业带来更多惊喜。”

(责任编辑：综合)